苏州多感科技有限公司杨海明获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州多感科技有限公司申请的专利多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188821.7，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法是由杨海明;王腾设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法，属于集成电路技术领域，该多芯片集成的光电传感器，包括图像传感器芯片，图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域，感光区域上设置透光构件，用于滤除干扰光，边缘区域有多个正面焊盘，用于电信号传输；光源芯片，光源芯片的顶部设置有发光区，底部设置有第一底部焊盘和第二底部焊盘，用于和图像传感器芯片的两个正面焊盘分别连通；RDL重构布线层，贯穿图像传感器芯片，以将图像传感器芯片正面的电信号传递至背面。通过将光源芯片直接芯片键合至CMOS图像传感器表面，大大缩小产品在X、Y和Z方向的尺寸，满足终端产品对于尺寸的需求。
本发明授权多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片集成的光电传感器，其特征在于，包括： 图像传感器芯片，所述图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域，所述感光区域上设置透光构件，用于滤除干扰光，所述边缘区域设有多个正面焊盘，用于电信号传输； 光源芯片，所述光源芯片的顶部设置有发光区，底部设置有第一底部焊盘和第二底部焊盘，用于和所述图像传感器芯片的两个正面焊盘分别连通； RDL重构布线层，贯穿所述图像传感器芯片，以将所述图像传感器芯片正面焊盘的电信号传递至背面，所述RDL重构布线层通过TSV工艺将电信号导出至所述图像传感器芯片的背面； 盖板结构，设置在所述边缘区域上，用于保护所述图像传感器芯片的正面。
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