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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所;济南蓝动激光技术有限公司申请的专利红外光电探测器阵列的封装方法及红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511239814.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权红外光电探测器阵列的封装方法及红外光电探测器是由王兆伟;韩宇哲;韩丽丽;王舒蒙;唐先胜;林宪旗;张伟;吴国良设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本红外光电探测器阵列的封装方法及红外光电探测器在说明书摘要公布了：本申请提供一种红外光电探测器阵列的封装方法及红外光电探测器，涉及探测器封装技术领域。封装方法首先在第一基底上制作多个第二基底，多个第二基底为图形化结构；在第二基底上制作周期性的超透镜单元阵列；在超透镜外围溅射薄膜吸气剂；通过溅射工艺在薄膜吸气剂外围连接第一键合环，在探测器晶圆外围连接第二键合环；连接第一键合环和第二键合环，使超透镜和探测器晶圆呈真空密封状态；激活薄膜吸气剂，以维持真空密封状态。上述方法中，采用在红外波段具有高透射率的材料作为超透镜基底以及周期性的超透镜单元阵列，提高红外光电探测器的光透射率，且第二基底为图形化结构，提高红外光电探测器的生产效率。

本发明授权红外光电探测器阵列的封装方法及红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种红外光电探测器阵列的封装方法，其特征在于， 采用化学沉积工艺，或者干法刻蚀工艺在第一基底3上制作多个第二基底2，所述第一基底3和所述第二基底2的材料相同，所述第一基底3和多个所述第二基底2为在红外波段具有高透射率的材料，包括硅，或锗，或硫化锌，多个所述第二基底2为图形化结构； 采用光刻和干法刻蚀工艺在所述第二基底2上制作超透镜单元阵列201，所述超透镜单元阵列201为周期性结构； 在超透镜4外围溅射薄膜吸气剂5，所述超透镜4包括所述第一基底3、所述第二基底2和位于所述第二基底2上的所述超透镜单元阵列201； 提供探测器晶圆9，所述探测器晶圆9包括呈阵列排布的多个独立红外光电探测单元7；其中，每个所述第二基底2的形状匹配所述红外光电探测单元7的封装形状； 通过溅射工艺在所述薄膜吸气剂5外围连接第一键合环601，在所述探测器晶圆9外围连接第二键合环602； 连接所述第一键合环601和所述第二键合环602，使所述超透镜4和所述探测器晶圆9呈真空密封状态； 激活所述薄膜吸气剂5，以维持所述真空密封状态。

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