武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511257927.8，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法是由方文银;严雄武;彭开盛设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种大功率光源COC，热沉上表面上设有第一电极焊盘，DFB芯片的N电极贴在第一电极焊盘上，热沉上在DFB芯片的后方设有第二电极焊盘，MPD芯片的P电极贴在第二电极焊盘上，MPD芯片上沿远离DFB芯片的方向依次具有光敏面以及第一N电极，DFB芯片的P电极上有多根并排分布的第一金线在跨过光敏面后打线在MPD芯片的第一N电极上，DFB芯片的背光经弧形状的第一金线反射在MPD芯片的光敏面上。一种CPO硅光光引擎，包括大功率光源COC。有益效果为：采用用以向DFB芯片供电的第一金线将DFB芯片的背光反射在MPD芯片的光敏面上，从而让MPD芯片完成监控DFB芯片的光功率，降低成本。
本发明授权一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率光源COC，其特征在于，包括：热沉1、DFB芯片2以及MPD芯片3，所述热沉1上表面上设有第一电极焊盘4，所述DFB芯片2以N电极朝下的方式贴在第一电极焊盘4上，所述热沉1上表面上在DFB芯片2的后方设有第二电极焊盘5，所述MPD芯片3以P电极朝下的方式贴在第二电极焊盘5上，所述MPD芯片3上表面上沿远离DFB芯片2的方向依次具有光敏面310以及第一N电极320，所述DFB芯片2上表面的P电极上有多根并排分布的第一金线6在跨过光敏面310后打线在MPD芯片3的第一N电极320上，所述DFB芯片2的背光经弧形状的第一金线6反射在MPD芯片3的光敏面310上。
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