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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利适于液相法批量化生产晶体的生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120776440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511157651.6，技术领域涉及：C30B19/02；该发明授权适于液相法批量化生产晶体的生长装置及方法是由唐宁;刘宗亮;徐科;司志伟;彭晓辉;张涛;陈珂欣设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本适于液相法批量化生产晶体的生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适于液相法批量化生产晶体的生长装置及方法。该生长方法包括：在第一生长容器内置入籽晶以及液相生长原料、在第二生长容器内置入籽晶，将第一温区的温度保持在第一温度T1，第二温区的温度保持在第二温度T2，第三温区的温度保持在第三温度T3，T1＜T2＞T3，以及，在生长室内提供晶体生长所需的其他生长条件；使旋转提升架转动，以带动第二生长容器及其承载的籽晶沿选定旋转轨迹转动，以使第二生长容器及其承载的籽晶反复在第一温区、第二温区之间转移，并反复浸入第一生长容器中的液相生长原料中。本发明可以产业化、批量化生产高质量、不同尺寸的氮化镓等单晶，提高了生产效率与质量。

本发明授权适于液相法批量化生产晶体的生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种适于液相法批量化生产晶体的生长装置，其特征在于，包括： 生长室，所述生长室具有沿自身轴向自上而下依次设置的第一温区、第二温区、第三温区，所述第一温区具有第一温度T1，所述第二温区具有第二温度T2，所述第三温区具有第三温度T3，T1＜T2＞T3； 顶部开放的第一生长容器，设置在所述生长室内，所述第一生长容器用于容置籽晶以及液相生长原料，并且，所述第一生长容器的底部区域位于所述第三温区、顶部区域位于所述第二温区，所述第二温区和所述第三温区之间的温差能够促使所述第一生长容器内的液相生长原料在纵深方向上发生对流； 旋转提升架和多个顶部开放的第二生长容器，设置在所述生长室内，所述旋转提升架包括旋转轴和多个旋臂，所述旋臂与所述旋转轴固定连接，多个所述旋臂以所述旋转轴为中心呈放射状分布，所述第二生长容器与所述旋臂转动连接，所述旋转提升架能够绕所述旋转轴旋转，所述第二生长容器用于容置籽晶以及液相生长原料，所述旋转提升架用于带动所述第二生长容器绕所述旋转提升架的旋转中心转动，所述第二生长容器在转动过程中始终保持固定姿态，其中，所述第二生长容器的旋转轨迹位于所述第一温区和所述第二温区，以及，所述第二生长容器的尺寸小于所述第一生长容器的尺寸，所述第一生长容器位于所述第二生长容器的转动轨迹上，所述第二生长容器在转动过程中能够反复浸入所述第一生长容器的液相生长原料中，在使所述第一生长容器中的液相生长原料进入所述第二生长容器的同时，扰动所述第一生长容器中的液相生长原料，所述第一生长容器以及位于所述第一生长容器内的籽晶和液相生长原料、所述第二生长容器以及位于所述第二生长容器内的籽晶和液相生长原料分别形成独立的晶体生长体系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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