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龙图腾网获悉星奇(上海)半导体有限公司申请的专利一种半导体工艺制程中流体密封结构和流控装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120799118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511257002.3，技术领域涉及：F16K1/226；该发明授权一种半导体工艺制程中流体密封结构和流控装置是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体工艺制程中流体密封结构和流控装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体工艺制程中流体密封结构和流控装置，所述半导体工艺制程中流体密封结构包括密封环、支撑环和弹性密封圈；密封环靠近支架的外侧壁形成第一倾斜面；支撑环位于密封环的靠近支架的一侧，支撑环靠近密封环的外侧壁形成第二倾斜面，第二倾斜面和第一倾斜面抵接，第二倾斜面的最低端和第一倾斜面的最低端具有预设轴向间隙；弹性密封圈被压缩于支撑环和台阶部之间，且持续对支撑环施加轴向力，使第二倾斜面推压第一倾斜面。本发明解决了现有技术中在某些工艺中无法同时兼顾耐磨性和耐腐蚀性的问题，增加了阀杆和上封盖之间密封的耐磨性。

本发明授权一种半导体工艺制程中流体密封结构和流控装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺制程中流体密封结构，包括封堵于阀壳开口的上封盖、支架和阀杆；所述上封盖设有第一穿孔，所述第一穿孔的侧壁上部沿自身周向开设有第一安装槽；所述支架包括台阶部和贯穿所述支架和所述台阶部的第二穿孔，所述台阶部插入所述第一安装槽内，并和所述第一安装槽的水平侧壁形成安装区域；所述阀杆依次穿过所述第二穿孔、所述安装区域和所述第一穿孔进入所述阀壳内；其特征在于，所述半导体工艺制程中流体密封结构还包括同轴嵌入所述安装区域的密封环、支撑环和弹性密封圈； 所述密封环靠近所述支架的外侧壁形成第一倾斜面，所述第一倾斜面到所述第一安装槽侧壁的间距自靠近所述支架的一端到远离所述支架的一端逐渐减小； 所述支撑环位于所述密封环的靠近所述支架的一侧，所述支撑环靠近所述密封环的外侧壁形成第二倾斜面，所述第二倾斜面和所述第一倾斜面抵接，且所述第二倾斜面到所述第一安装槽侧壁的间距自靠近所述支架的一端到远离所述支架的一端逐渐减小，所述第二倾斜面的最低端和所述第一倾斜面的最低端具有预设轴向间隙； 所述弹性密封圈被压缩于所述支撑环和所述台阶部之间，且持续对所述支撑环施加轴向力，使所述第二倾斜面推压所述第一倾斜面； 其中，在所述密封环因磨损而内径增大时，所述预设轴向间隙在所述轴向力的作用下减小，并迫使所述密封环上与所述第一倾斜面对应的区段径向向内弯曲。

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