沈阳泰礴真空技术有限公司张宇航获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳泰礴真空技术有限公司申请的专利一种远源等离子体磁控溅射装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223535191U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422804043.7，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种远源等离子体磁控溅射装置是由张宇航;杨世波设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种远源等离子体磁控溅射装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种远源等离子体磁控溅射装置，属于磁控溅射技术领域，其中磁控溅射装置包括；机架，机架的第一表面设有真空腔体，真空腔体上设有抽气口，真空腔体的内部设有第一电磁铁和第二电磁铁，第二电磁铁上设有溅射靶材，真空腔体的一侧设有感应线圈组件，以形成等离子体，感应线圈组件与第一电磁铁连通，真空腔体背离第一表面的一侧设有升降样品装置，升降样品台沿第二方向往复移动以向真空腔体内部放置基片；第一电磁铁和第二电磁铁不同于以往的水平分布方式，而改为了不同平面的垂直分布方式，进而在进行磁控溅射时，刻蚀区均匀的落在靶材表面，不会产生刻蚀跑道，因此通过此装置进行磁控溅射时，靶材的表面是平整的，可保证溅射的均匀性。
本实用新型一种远源等离子体磁控溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种远源等离子体磁控溅射装置，其特征在于，包括； 机架1，所述机架1的第一表面设有真空腔体2，所述真空腔体2上设有抽气口3，所述真空腔体2的内部沿第一方向设有第一电磁铁4，所述真空腔体2的内部沿第二方向设有第二电磁铁5，所述第二电磁铁5上设有溅射靶材6，所述真空腔体2的一侧设有感应线圈组件7，以电离氩气形成等离子体，所述感应线圈组件7与所述第一电磁铁4连通，所述真空腔体2背离所述第一表面的一侧设有升降样品装置8，所述升降样品装置8沿所述第二方向往复移动以向所述真空腔体2内部放置基片9； 其中，所述第一方向平行所述第一表面，所述第二方向垂直所述第一表面。
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