中微半导体设备(上海)股份有限公司刘雯伊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种真空平台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223535207U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422993652.1，技术领域涉及：C23C16/52；该实用新型一种真空平台是由刘雯伊;王能语;刘学滨设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空平台在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种真空平台，其用于处理晶圆，包括：第一传输腔，其连接有若干个具有双处理台的CVD工艺腔；第二传输腔，其连接有若干个非CVD工艺腔；缓冲腔，连接在所述第一传输腔和所述第二传输腔之间，所述缓冲腔连接有用于调节其腔内压力的供气系统和真空系统。所述真空平台能够提高晶圆处理效率，以及降低CVD工艺产生的尾气污染风险。
本实用新型一种真空平台在权利要求书中公布了：1.一种真空平台，用于处理晶圆，其特征在于，包括： 第一传输腔，其连接有若干个具有双处理台的CVD工艺腔； 第二传输腔，其连接有若干个非CVD工艺腔； 缓冲腔，连接在所述第一传输腔和所述第二传输腔之间，所述缓冲腔连接有用于调节其腔内压力的供气系统和真空系统。
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