中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司李再兴获国家专利权
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龙图腾网获悉中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司申请的专利一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223535292U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422704929.4，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉是由李再兴;李端科;张利;李浩毅设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉，包括底板，所述底板顶部通过一组L形杆固接有生长炉本体，所述底板顶部设有下炉盖本体，所述炉盖本体顶部设置有密封盖，所述底板顶部开设有滑动槽，所述底板顶部开设有开设有放置槽，所述放置槽内放置有放置块，且下炉盖本体位于一组放置块顶部，所述生长炉本体上设置有紧固机构用于带动下炉盖本体升降，所述紧固机构包括：升降组件，设置在生长炉本体上用于带动下炉盖本体升降，本实用新型涉及锁紧机构技术领域。该锁紧机构，解决了现有技术中，需要多个动力源对锁紧机构提供动力，从而导致整体能耗提高，且导致更高的维护成本，需要更复杂的的控制系统来协调各个动力源工作的问题。
本实用新型一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种下炉盖锁紧机构及立式晶体生长炉，包括底板1，其特征在于：所述底板1顶部通过一组L形杆固接有生长炉本体2，所述底板1顶部设有下炉盖本体3，所述炉盖本体顶部设置有密封盖，所述底板1顶部开设有滑动槽，所述底板1顶部开设有开设有放置槽4，所述放置槽4内放置有放置块5，且下炉盖本体3位于一组放置块5顶部，所述生长炉本体2上设置有紧固机构6用于带动下炉盖本体3升降，所述紧固机构6包括： 升降组件7，设置在生长炉本体2上用于带动下炉盖本体3升降，所述升降组件7包括固定块8，一组所述固定块8固接在生长炉本体2外圆壁上，所述固定块8底部与放置槽4槽底通过矩形杆9相连接，所述放置块5通过矩形槽滑动连接在矩形杆9上； 驱动组件10，设置在生长炉本体2上用于带动一组放置块5升降。
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