深圳市大能创智半导体有限公司罗剑锋获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市大能创智半导体有限公司申请的专利一种电感及其点电源模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223539429U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423054437.1,技术领域涉及:H01F27/30;该实用新型一种电感及其点电源模块是由罗剑锋;潘江洪;詹杰;谢斌设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电感及其点电源模块在说明书摘要公布了:本实用新型实施例公开了一种电感及其点电源模块,该电感包括:具有贯穿孔的磁芯;穿设于贯穿孔中的铜箔;铜箔上设有若干抵持部,抵持部包括凸起部分和凹陷部分。通过上述方式,本实用新型实施例通过抵持部限制铜箔在贯穿孔中的上下移动,无需对铜箔施加额外的压力,且凹陷部分用于容纳粘合剂,以提高点电源模块的加工效率和产品良率。
本实用新型一种电感及其点电源模块在权利要求书中公布了:1.一种电感,其特征在于,包括: 具有贯穿孔的磁芯; 穿设于所述贯穿孔中的铜箔; 所述铜箔上设有若干抵持部,所述抵持部包括凸起部分和凹陷部分。
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