浙江大维高新技术股份有限公司柳晓飞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大维高新技术股份有限公司申请的专利继电器电路及固态继电器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223540537U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422835795.X，技术领域涉及：H03K17/51；该实用新型继电器电路及固态继电器是由柳晓飞;祝建军;丁圣平;刘成;黄少敏设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本继电器电路及固态继电器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种继电器电路及固态继电器，包括：光耦隔离、三极管和可控硅；光耦隔离发光二极管的正极与驱动端相连；光耦隔离光敏三极管的集电极与三极管的基极相连；三极管的集电极与可控硅的控制极相连；可控硅的正极与可控硅的负极连接有阻容吸收电路；可控硅的正极还与负载接线端子相连；光耦隔离基于驱动端的驱动信号执行导通或关断动作，输出第一控制信号；三极管响应第一控制信号进行导通或关断动作，输出第二控制信号；可控硅响应第二控制信号进行导通或关断动作，控制负载接线端子进行导通或关断动作；其中，当可控硅的状态由导通切换至关断时，阻容吸收电路用于吸收可控硅的尖峰电压。该继电器降低陈本，且具有尖峰吸收功能。
本实用新型继电器电路及固态继电器在权利要求书中公布了：1.一种继电器电路，其特征在于，包括：光耦隔离模块、三极管以及可控硅；所述光耦隔离模块内发光二极管的正极与外设的驱动端相连；所述光耦隔离模块内光敏三极管的集电极与所述三极管的基极相连；所述三极管的集电极与所述可控硅的控制极相连；所述可控硅的负极接地；所述可控硅的正极与所述可控硅的负极之间连接有阻容吸收电路；所述可控硅的正极还与外设的负载接线端子相连； 所述光耦隔离模块用于基于所述驱动端的驱动信号执行导通或关断动作，输出第一控制信号； 所述三极管用于响应所述第一控制信号进行导通或关断动作，输出第二控制信号； 所述可控硅用于响应所述第二控制信号进行导通或关断动作，以控制所述负载接线端子进行导通或关断动作；其中，当所述可控硅的状态由导通切换至关断时，所述阻容吸收电路用于吸收所述可控硅的尖峰电压。
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