中北大学李孟委获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111537925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010535364.5，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置是由李孟委;秦世洋;王旭虎设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置在说明书摘要公布了：一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，包括：磁体平台、磁场明暗栅组件和基板，磁体平台设置在磁场明暗栅组件顶部，基板设置在磁场明暗栅组件底部；磁场明暗栅组件包含：支撑框架、放大平台、支撑槽、高磁导率软磁隧尖；支撑槽滑动设置在支撑框架内，支撑槽水平设置，多个放大平台滑动设置在支撑槽内，放大平台底部设置高磁导率软磁隧尖。本发明的有益效果在于，通过高磁导率软磁隧尖将近似匀强的磁场强度聚集起来，形成一种稳定变化的高变化率磁场，使得磁敏电阻敏感到的磁场变化，在微弱的磁场变化下磁敏电阻的阻值会发生剧烈变化。同时，所设计的磁场明暗栅结构加工工艺简单、制作成本低、使用方便、可靠性好，适合微型化。
本发明授权一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置在权利要求书中公布了：1.一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，包括：磁体平台2、磁场明暗栅组件10和基板9，所述磁体平台2设置在所述磁场明暗栅组件10顶部，所述基板9设置在所述磁场明暗栅组件10底部； 所述磁场明暗栅组件10包含：支撑框架3、放大平台4、支撑槽5、高磁导率软磁隧尖6； 所述支撑槽5滑动设置在所述支撑框架3内，所述支撑槽5水平设置，多个所述放大平台4滑动设置在所述支撑槽内，所述放大平台4底部设置所述高磁导率软磁隧尖6； 所述磁体平台2设置在支撑框架3顶部，所述磁体平台2用于放置被测磁体1； 所述支撑槽5与支撑框架3之间通过阻尼材料或阻尼配合滑动连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中北大学，其通讯地址为：030051 山西省太原市学院路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励