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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利功率半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010690684.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件和方法是由F·D·普菲尔施设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件和方法在说明书摘要公布了：公开了功率半导体器件和方法。功率半导体器件1包括：半导体本体10，具有前侧表面10‑1并包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区100；和边缘终止区105，包括在半导体本体10中。边缘终止区105包括：漂移区100的一部分；和第一半导体区103，其沿前侧表面10‑1延伸。第一半导体区103包括第一和第二导电类型的掺杂剂，在第一半导体区103内第二导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度高于第一导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度。表示第一掺杂半导体区103中的第一和第二导电类型的掺杂剂的竖向积分净掺杂剂浓度的第一剂量轮廓D_1与表示第一掺杂半导体区103中的第二导电类型的掺杂剂的竖向积分掺杂剂浓度的第二剂量轮廓D_2相比沿水平方向X，Y呈现出更小的程度的起伏。

本发明授权功率半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括： -半导体本体10，其具有前侧表面10-1并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区100； -边缘终止区105，边缘终止区105被包括在半导体本体10中并且包括： ○漂移区100的一部分； ○第一半导体区103，其沿着前侧表面10-1延伸，第一半导体区103包括第一导电类型的掺杂剂和与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂，其中在第一半导体区103内第二导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度高于第一导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度，第一半导体区103与漂移区100形成连续的pn结J； 其中，表示第一半导体区103中的第一导电类型的掺杂剂和第二导电类型的掺杂剂的竖向积分净掺杂剂浓度的第一剂量轮廓D_1与表示第一半导体区103中的第二导电类型的掺杂剂的竖向积分掺杂剂浓度的第二剂量轮廓D_2相比沿着水平方向X，Y呈现出更小的程度的起伏。

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