意法半导体股份有限公司D·G·帕蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011015902.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法是由D·G·帕蒂设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管HEMT器件和方法。多个实施例涉及高电子迁移率晶体管HEMT器件和方法。一个这种HEMT器件包括具有第一表面的衬底、以及在衬底上并且彼此面对的第一异质结构和第二异质结构。第一异质结构和第二异质结构中的每个异质结构包括在衬底的第一表面上的第一半导体层、在衬底的第一表面上的第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的二维电极气体2DEG层。掺杂半导体层布置在第一异质结构与第二异质结构之间，并且源极接触布置在第一异质结构和第二异质结构上。
本发明授权高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管HEMT，包括： 衬底，具有第一表面，所述衬底是硅衬底； 外延半导体层，在所述衬底的所述第一表面上，所述外延半导体层是外延硅层； 第一异质结构和第二异质结构，在所述衬底上并且彼此面对，所述第一异质结构和所述第二异质结构中的每个异质结构包括在所述衬底的所述第一表面上的第一半导体层、在所述衬底的所述第一表面上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的二维电极气体2DEG层； 其中所述第一异质结构和所述第二异质结构中的每个异质结构的所述第一半导体层在所述外延半导体层的相应侧表面上； 掺杂半导体层，在所述第一异质结构与所述第二异质结构之间；以及 源极接触，在所述第一异质结构和所述第二异质结构上。
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