意法半导体有限公司王玉展获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011507505.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程是由王玉展;P·巴萨瓦纳哈利·库玛斯瓦米;辜宏佳;A·莱奥蒂;P·拉蒙达设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程在说明书摘要公布了：本公开涉及使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程。在半导体衬底之上沉积由第一电介质材料制成的第一电介质层。然后在第一电介质层的上表面上沉积缓冲层。将沟槽打开为延伸穿过缓冲层和第一电介质层。以共形的方式，将由第二电介质材料制成的第二电介质层沉积在缓冲层上，并且填充沟槽。执行对第二电介质层的化学机械抛光，以去除第二电介质层的上覆部分，其中缓冲层被用作抛光停止件。在去除缓冲层之后，第一电介质层和填充沟槽的第二电介质材料形成预金属化电介质层，该预金属化电介质层具有实质上平坦的上表面。
本发明授权使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的制造方法，包括： 沉积由第一电介质材料制成的第一电介质层； 在所述第一电介质层的上表面上沉积缓冲层； 打开沟槽，所述沟槽延伸穿过所述缓冲层和所述第一电介质层； 以共形的方式，将由第二电介质材料制成的第二电介质层沉积在所述缓冲层上，并且填充所述沟槽； 执行对所述第二电介质层的化学机械抛光，其中所述化学机械抛光使用所述缓冲层作为抛光停止件，使得所述沟槽中的所述第二电介质层的上表面总体上与所述第一电介质层的所述上表面共面；以及 去除所述缓冲层，使得所述第一电介质层和填充所述沟槽的所述第二电介质材料形成预金属化电介质层，所述预金属化电介质层具有实质上平坦的上表面。
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