买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110335193.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置是由赵珉熙;朴玄睦;宋宇彬;李玟洙;李元锡设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储装置。所述装置可以包括：下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上并且沿第一方向延伸；上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠并且沿所述第一方向延伸；第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间；第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开；下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器；上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器；以及下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括： 下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上，并且沿第一方向纵长地延伸； 上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠，并且沿所述第一方向纵长地延伸； 第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间； 第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间，每个所述第二电容器沿着所述第一方向设置在所述第一电容器的相邻的第一电容器之间，并且在所述第一方向上与相邻的所述第一电容器间隔开； 下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且分别连接到所述第一电容器； 上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且分别连接到所述第二电容器；以及 下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间，以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域； 其中，每个所述第一电容器和每个所述第二电容器分别包括第一电极和位于所述第一电极上的第二电极， 其中，所述下半导体图案分别连接到所述第一电容器的所述第一电极，并且 其中，所述上半导体图案分别连接到所述第二电容器的所述第二电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。