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株式会社日立高新技术冈本翔获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114080662B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080016429.3,技术领域涉及:H01L21/3065;该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由冈本翔;臼井建人;松井都;中元茂;川本尚裕;关口笃史设计研发完成,并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了:等离子处理装置1对在基板上形成有交替层叠绝缘膜和含金属的被处理膜的多层膜的晶片16进行被处理膜的等离子蚀刻,该等离子处理装置1具有:配置于真空容器内的处理室10;配置于处理室内且载置晶片的样品台14;检测对晶片照射的光在晶片反射的反射光的检测部28;控制对晶片的等离子处理的控制部40;和基于反射光的光谱的波长方向的振动的振幅的变化来判定对被处理膜的蚀刻的终点的终点判定部30,控制部接受终点判定部所进行的终点的判定来停止对晶片的等离子处理。

本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了:1.一种等离子处理装置,对在基板上形成有在上下方向上交替层叠绝缘膜和含金属的被处理膜的多层膜的晶片进行所述被处理膜的等离子蚀刻, 所述等离子处理装置的特征在于,具有: 配置于真空容器内的处理室; 配置于所述处理室内且载置所述晶片的样品台; 检测对所述晶片照射的光在所述晶片反射的反射光的检测部; 控制对所述晶片的等离子处理的控制部;和 基于从所述反射光检测到的多个波长的光谱的波长方向上的振动的振幅的变化来判定所述被处理膜的向横向蚀刻的终点的终点判定部, 所述控制部接受所述终点判定部所进行的终点的判定来停止对所述晶片的等离子处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社日立高新技术,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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