长江存储科技有限责任公司谢景涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利制备方法、半导体结构、存储器及系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111323617.3，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权制备方法、半导体结构、存储器及系统、电子设备是由谢景涛;韩玉辉;颜丙杰;周文犀设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备方法、半导体结构、存储器及系统、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法、半导体结构、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：在衬底的一侧形成包括多个堆叠层的叠层结构；在所述叠层结构中形成第一顶部切口结构，所述第一顶部切口结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸，并且至少穿透所述多个堆叠层中背离所述衬底一侧的堆叠层；在所述叠层结构中形成多个阶梯台阶；形成覆盖所述阶梯台阶的介质层；以及形成虚拟沟道孔以及顶部切口，其中所述顶部切口沿所述第一方向延伸，穿过所述介质层并延伸至阶梯台阶中的第一顶部切口结构内。
本发明授权制备方法、半导体结构、存储器及系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧形成包括多个堆叠层的叠层结构； 在所述叠层结构中形成第一顶部切口结构，所述第一顶部切口结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸，并且至少穿透所述多个堆叠层中背离所述衬底一侧的堆叠层； 在所述叠层结构中形成多个阶梯台阶； 形成覆盖所述阶梯台阶的介质层；以及 形成虚拟沟道孔以及顶部切口，其中所述顶部切口沿所述第一方向延伸，沿叠层厚度方向穿过所述介质层并延伸至所述阶梯台阶中的第一顶部切口结构内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励