上海华力微电子有限公司吴骏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利SRAM及其版图设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111437296.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权SRAM及其版图设计方法是由吴骏;吴栋诚;范茂成设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本SRAM及其版图设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SRAM及其版图设计方法，该SRAM版图设计方法包括：将SRAM电路结构版图设计中的延时链单元和存储单元形成在存储区；将SRAM电路结构版图设计中的译码器和灵敏放大器形成在逻辑区。本发明能够避免延时链单元与存储单元产生工艺差，则位于存储区的延时链单元能够精确控制灵敏放大器的开启信号的产生时间，从而提高了存储单元的存储速度，即提高了SRAM的存储速度。
本发明授权SRAM及其版图设计方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM版图设计方法，其特征在于，包括： 将SRAM电路结构版图设计中的延时链单元和存储单元形成在存储区； 将SRAM电路结构版图设计中的译码器和灵敏放大器形成在逻辑区； 将所述存储区的部分存储单元修改为延时链单元，包括： 在部分所述存储单元中找出奇数个单元存储器； 将每个所述单元存储器包括的两个首尾相连的反相器的金属线断开，形成两个独立的反相器； 将奇数个所述单元存储器中每个所述单元存储器中仅使用两个独立的反相器中的一个反相器通过金属线首尾相连形成所述延时链单元，以在所述存储区中形成所述延时链单元。
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