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龙图腾网获悉欧司朗光电半导体有限公司申请的专利光电子器件及制造光电子器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080053453.4，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权光电子器件及制造光电子器件的方法是由马提亚斯·希恩设计研发完成，并于2020-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电子器件及制造光电子器件的方法在说明书摘要公布了：提出了一种光电子器件1，其包括至少一个第一半导体发射器10和至少一个第二半导体发射器20，这些半导体发射器分别具有有源区域101、201和正面耦合输出面102、202。有源区域101、102设置成产生电磁辐射。此外，光电子器件1包括不透射辐射的覆盖层40和承载件50。半导体发射器10、20设置在承载件50的第一侧上。第一半导体发射器10设置成通过其耦合输出面102发射第一波长范围的电磁辐射。第二半导体发射器20设置成通过其耦合输出面202发射第二波长范围的电磁辐射。第一波长范围和第二波长范围至少部分地彼此不同。覆盖层40由光聚合物形成并且设置在承载件50的第一侧上。覆盖层40具有完全穿过该覆盖层40的耦合输出窗口60，并且通过该耦合输出窗口，耦合输出面102、202分别至少部分没有覆盖层40。此外，提出了一种用于制造光电子器件1的方法。

本发明授权光电子器件及制造光电子器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件1，其包括 -至少一个第一半导体发射器10和至少一个第二半导体发射器20，所述第一半导体发射器和所述第二半导体发射器分别具有有源区域101、201和正面耦合输出面102、202，其中所述有源区域设置成用于产生电磁辐射， -不透射辐射的覆盖层40，以及 -承载件50，其中 -所述半导体发射器10、20设置在所述承载件50的第一侧上， -所述第一半导体发射器10设置成通过其耦合输出面102发射第一波长范围的电磁辐射并且所述第一半导体发射器的耦合输出面102背离所述承载件， -所述第二半导体发射器20设置成通过其耦合输出面202发射第二波长范围的电磁辐射并且所述第二半导体发射器的耦合输出面202背离所述承载件， -所述第一波长范围和所述第二波长范围至少部分地彼此不同，并且 -所述覆盖层40由光聚合物形成，设置在所述承载件50的第一侧上，并具有一个耦合输出窗口60，所述耦合输出窗口完全贯穿所述覆盖层40并且在所述耦合输出窗口中，所述耦合输出面102、202分别至少部分没有覆盖层40。

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