东南大学雷威获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210156298.X，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法是由雷威;王昕;宋波;李青;张晓兵;朱卓娅;赵志伟;徐玉冰;潘禹竹;李雨巍设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法，采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体，获得较高的光子吸收和转换效率。利用溶液掺杂外延的方法在本征钙钛矿晶体两端分别生长钙钛矿P型层和N型层，构成钙钛矿PIN结，并利用结区耗尽层势垒抑制暗电流和噪声。在结区外延生长窄带隙量子点，构成能带陷阱。当高能光子入射后，钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱，并发生隧穿场致发射，获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较，由于引入了隧穿场发射结构，可以获得较高的光电流增益。与高能光子雪崩二极管探测结构向比较，由于不产生随机的雪崩效应，所以散粒噪声比较小。
本发明授权一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管，其特征在于，包括钙钛矿本征吸收层，在所述钙钛矿本征吸收层的两端分别设置钙钛矿P型层和钙钛矿N型层，构成钙钛矿PIN结；在所述钙钛矿PIN结的PI结区以及NI结区附近分别设置窄带隙半导体量子点，构成量子点能级陷阱；其中，所述钙钛矿本征吸收层采用钙钛矿单晶体作为高能光子的吸收体，当用于X射线探测时的钙钛矿本征吸收层厚度为1~10毫米，当用于射线探测时的钙钛矿本征吸收层厚度为1厘米以上；高能光子入射后在所述钙钛矿本征吸收层产生光生电子空穴对，光生载流子向两端结区输运，并进入所述量子点能级陷阱，由于光生载流子的影响，量子点与钙钛矿单晶体之间产生隧穿场致发射，从而获得高增益光电流；并利用所述钙钛矿PIN结的耗尽层结区势垒抑制暗电流和噪声。
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