中国电子科技集团公司第十三研究所段强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210094480.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳是由段强;杨振涛;高岭;刘洋;李航舟;王杰;闫军浩设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳在说明书摘要公布了：本发明提供一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳，其中，陶瓷外壳的封装方法，包括：提供一陶瓷封装底座，陶瓷封装底座设有一用于器件封装的腔体，在腔体的底部设有多个预设区域；制作与所述预设区域的形状相匹配的低电阻薄片，且低电阻薄片上的镀层的厚度与预设区域对低电阻薄片的镀层厚度要求相匹配；在陶瓷封装底座的预设区域固定对应的所述低电阻薄片，并贴装、键合拟封装的电子元器件；将陶瓷封装底座进行盖板密封。本发明提供的陶瓷外壳的封装方法，制作工艺简单，加工方便。
本发明授权一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷外壳的封装方法，其特征在于，包括： 提供一陶瓷封装底座，所述陶瓷封装底座设有一用于器件封装的腔体，在所述腔体的底部分设有多个预设区域；其中，所述预设区域包括：用于电流传输的电流传输路径区域，以及多个用于厚度转接的金属镀层预设区域； 制作与所述预设区域的形状相匹配的低电阻薄片，所述低电阻薄片的第一表面上设有镀层，且所述镀层的厚度与所述预设区域对镀层的厚度要求相匹配；其中，所述低电阻薄片包括相对设置的第一表面和第二表面； 分别将形状和镀层厚度相匹配的低电阻薄片的第二表面贴装在所述电流传输路径区域和所述金属镀层预设区域； 贴装、键合拟封装的电子元器件，并将所述陶瓷封装底座进行盖板密封。
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