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龙图腾网获悉英韧科技(上海)有限公司申请的专利数据写入方法和装置以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210258759.4，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权数据写入方法和装置以及存储介质是由魏韬;冯正田;魏柯设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据写入方法和装置以及存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及NAND闪存的数据写入方法和装置以及存储介质，该方法包括：配对步骤，用于针对所述NAND闪存的每条通道，对该通道内的所有逻辑单元即LUN进行配对，以使得每个LUN对包括至少两个LUN；以及写入步骤，用于针对每个LUN对，依次对该LUN对中的每个LUN的每个字线所包括的编程模式所对应的多个页面中的一个相同页面进行数据写入，在完成对该LUN对中的所有LUN的该个字线的该相同页面的数据写入之后，依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的下一相同页面进行数据写入，…，依此类推，直至依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的最后一个相同页面进行数据写入为止。由此，可以提高NAND总线的传输效率，从而提高NAND闪存的数据写入性能。

本发明授权数据写入方法和装置以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存的数据写入方法，应用于NAND控制器，其特征在于，包括： 配对步骤，用于针对所述NAND闪存的每条通道，对该通道内的所有逻辑单元即LUN进行配对，以使得每个LUN对包括至少两个LUN；以及 写入步骤，用于针对每个LUN对，依次对该LUN对中的每个LUN的每个字线所包括的编程模式所对应的多个页面中的一个相同页面进行数据写入，在完成对该LUN对中的所有LUN的该个字线的该相同页面的数据写入之后，依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的下一相同页面进行数据写入，依此类推，直至依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的最后一个相同页面进行数据写入为止， 其中，所述配对步骤包括： 针对所述NAND闪存的每条通道，确定LUN对所包括的LUN的数量； 对该通道内的所有LUN进行配对，以使得每个LUN对包括所确定的数量个LUN， 其中，确定LUN对所包括的LUN的数量，包括： 计算编程缓存忙碌时间相对于数据传输时间的比值； 在所述比值小于1的情况下，确定为每个LUN对包括2个LUN； 在所述比值等于M的情况下，确定为每个LUN对包括M+1个LUN，其中M为大于1的整数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英韧科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区盛夏路565弄40号6楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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