杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学程知群获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114650020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111211.7，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路是由程知群;乐超设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高线性度GaNHEMT射频功率放大器电路，设置多个GaNHEMT管芯，每个GaNHEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaNHEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaNHEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaNHEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaNHEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaNHEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影响，有效改善电路的线性度。
本发明授权一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种高线性度GaNHEMT射频功率放大器电路，其特征在于，该电路集成于一体，设置多个GaNHEMT管芯，每个GaNHEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaNHEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaNHEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaNHEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2的一端，第一电感L1和第二电感L2的另一端接地； 所述谐振网络包括第一电容C1和第三电感L3，其中，第一电容C1的一端与输出端相连接，第一电容C1的另一端与第三电感L3的一端相连接，第三电感L3的另一端接地； GaNHEMT管芯包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。
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