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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种阵列天线辐射副瓣降低方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210031786.8，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权一种阵列天线辐射副瓣降低方法是由赵晨;张世炯设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列天线辐射副瓣降低方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列天线辐射副瓣降低方法，该方法包括以下步骤：获取阵列天线的单元阵列天线结构、馈电点数和工作频率，录入电磁仿真软件中；通过仿真软件确定阵列天线同幅等相激励时的主瓣波束宽度；对阵列天线进行全波仿真，获取该辐射方向的每一个阵列单元远场辐射区的主瓣中心点以及偏离主瓣中心点一定度数点处的电场与磁场的幅度与相位；通过增大阵列天线的主瓣方向上的辐射功率分布以产生降低副瓣的效果，并求得此功率分布下辐射效率达到最大时的激励分布，获得阵列低副瓣性能的激励分布。本发明通过将降低天线阵列副瓣问题转化为增加主瓣辐射方向功率占比的问题，使主瓣方向辐射能量增加，进而达到减小副瓣的效果。

本发明授权一种阵列天线辐射副瓣降低方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列天线辐射副瓣降低方法，其特征在于，所述降低方法包括以下步骤： S1，获取阵列天线的单元阵列天线排布结构、馈电点数n和工作频率f0； S2，通过仿真软件添加频率f0处的场监视器，输入同幅等相的激励分布，获取阵列天线频率f0处辐射方向图的不同平面主瓣波束宽度θi； S3，对阵列天线进行全波仿真，获取辐射方向的每一个阵列单元的远场主瓣中心点O处与偏离主瓣中心点ki度的主瓣波束宽度中平面端点Pi处的电场与磁场的幅度与相位；所述ki的取值为：ki＝0.375θi；当阵列天线为一维阵列天线结构，则获取主瓣一维方向上YOZ面两个端点值，若阵列天线为二维的阵列天线，则获取正交两个方向上XOZ面与YOZ面的四个端点值； S4，赋予点O与点Pi权重函数Wpr，结合天线阵列单元的辐射特性，由最大功率传输效率法理论求出此功率分布情况下达到最大辐射效率时的激励分布，以增大主瓣方向辐射能量； 其中，在天线性能允许范围内，通过改变ki或Wpr的取值以调整主瓣波束宽度；随着ki值或端点Pi处权重增大，主瓣波束宽度变宽，副瓣变小，反之亦然。

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