珠海晶讯聚震科技有限公司卓尔·赫尔维茨获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海晶讯聚震科技有限公司申请的专利一种声学谐振器及其制造方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111598892.6，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权一种声学谐振器及其制造方法和应用是由卓尔·赫尔维茨设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声学谐振器及其制造方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种声学谐振器，所述声学谐振器是构成FBAR滤波器的基础部件，所述FBAR滤波器包括富阱层以通过降低自由电荷寿命而避免寄生电阻。所述声学谐振器具有第一电极、第二电极和压电层，第一电极构成第一平面，所述第二电极设置成平行于所述第一平面部分，所述压电层设置于所述第一和第二平面电极之间并接触两者。硅基支撑层包含富阱区域键合至所述第二电极。所述声学谐振器可通过以下方式来制造：a将所述富阱区域沉积于所述硅基支撑层上；b将所述富阱区域的表面氧化；c将键合层沉积于所述富阱区域的所述氧化表面上；d将第一电极与含富阱层的硅基氧化层一面键合；e使压电层的第一侧接触所述第一电极；f使所述压电层的第二侧接触第二电极。
本发明授权一种声学谐振器及其制造方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种声学谐振器，包括： 第一电极，所述第一电极具有第一平面部分； 第二电极，所述第二电极具有设置成平行于所述第一平面部分的第二平面部分； 压电层，所述压电层设置于所述第一平面部分和所述第二平面部分之间并且接触两者；和 支撑层，所述支撑层与所述第二电极键合，所述支撑层具有富阱层，所述富阱层降低自由电荷的寿命； 其中SiO2层插置于所述富阱层和所述第一电极，第二电极两者之间。
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