株式会社斗山崔泰镇获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社斗山申请的专利半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080083866.7，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法是由崔泰镇;朴守仁设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法，涉及通过包含最低熔融粘度低的粘接层从而能够在半导体封装时使孔隙产生最小化而提高封装的连接可靠性的半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法。
本发明授权半导体封装用底部填充膜和利用其的半导体封装的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装用底部填充膜，其包含基材和粘接层， 所述粘接层配置在所述基材的一面且在160至170℃时的最低熔融粘度为3000Pa.s以下， 所述粘接层为粘接树脂组合物的固化物，所述粘接树脂组合物包含a含有液态环氧树脂、苯氧树脂和多官能性环氧树脂的环氧树脂；b酸酐系固化剂；c含氮杂环化合物；以及d填料， 所述含氮杂环化合物为选自由以下化学式2所表示的化合物和以下化学式3所表示的化合物所组成的组中的一种以上， [化学式2] [化学式3] 所述化学式2和3中， n1为1或2， n2为0至2的整数， X1至X6彼此相同或不同，各自独立地为N或CR1，其中，X1至X6中的一个以上为N， Y1至Y6彼此相同或不同，各自独立地为NR2或CR3R4，其中，Y1至Y6中的一个以上为NR2， 此时，多个CR1彼此相同或不同，多个NR2彼此相同或不同，多个CR3R4彼此相同或不同， R1、R2、R3和R4各自独立地选自由氢、氘D、卤素、氰基、硝基、C1～C20的烷基、C2～C20的烯基和C2～C20的炔基所组成的组。
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