中国科学院微电子研究所白云获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110088948.7，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法是由白云;刘建君;刘新宇;郝继龙;汤益丹;陈宏;田晓丽;杨成樾;陆江设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法，该方法通过在三种加工环境下，采用不同的气体对SiO2栅氧化层依次进行三次退火处理，以降低SiO2栅氧化层界面处的C相关缺陷。也就是说，通过三次连续的退火处理，可以处理掉SiC场效应晶体管中SiO2栅氧化层界面处的多种陷阱和缺陷，界面质量得到优化，致密性得到增强，漏电流减小，可靠性得到提升，进而提高SiC场效应晶体管的性能。
本发明授权一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一SiC外延片； 在所述SiC外延片上形成SiO2栅氧化层； 在第一预设加工环境下，采用第一气体对所述SiO2栅氧化层进行第一次退火处理；其中，所述第一预设加工环境为：加工温度为800℃-1000℃；加工压力为800pa-1200pa；加工时间为30min-90min；所述第一气体为氩气； 在第二预设加工环境下，采用第二气体对所述SiO2栅氧化层进行第二次退火处理；其中，所述第二预设加工环境为：加工温度为800℃-1000℃；加工压力为800pa-1200pa；加工时间为30min-90min；所述第二气体为氧气； 在第三预设加工环境下，采用第三气体对所述SiO2栅氧化层进行第三次退火处理；其中，所述第三预设加工环境为：加工温度为200℃-400℃；加工压力为800pa-1200pa；加工时间为30min-90min；所述第三气体为氢气。
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