西北工业大学刘珂静获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210279829.4，技术领域涉及：H01L21/477；该发明授权一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法是由刘珂静;王涛设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法，解决现有的晶片表面处理过程中引入新的表面损伤，导致晶片质量恶化影响后续器件制备等问题；该方法在晶锭进行切割、磨抛后，在高温下，通入反应性气氛与晶片表面的缺陷和应力层发生反应，生成惰性物质或易挥发气体，并在高温退火时，将生成物变成气态物质，随保护气氛排出，获得理想的晶体表面即。引入反应气氛，除对晶体生长过程中产生的内部缺陷进行调控外，还将表面的加工层进行反应去除。
本发明授权一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法在权利要求书中公布了：1.一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法，其特征在于，包括以下步骤： 1晶锭切割： 使用石蜡或者热熔胶将晶锭固定在样品台上，按照需求在金刚石线切割机上进行切割，得到目标尺寸晶片； 2晶片磨抛： 使用砂纸对步骤1得到的晶片进行打磨，至表面无肉眼可见划痕，并对晶片进行抛光处理； 3低温反应气氛退火： 3.1将步骤2磨抛后的晶片置于相应尺寸的退火架上，置于真空气氛管式炉内，通入保护气氛进行洗气； 3.2关闭真空气氛管式炉尾端阀门，抽真空至10Pa-1.0×10-3Pa，通入反应气氛；所述反应气氛为能和晶片反应，且反应生成物能够在高温下去除的气氛，具体为硅烷族气氛及卤族气氛； 3.3将真空气氛管式炉温度升至低温退火点，进行反应；所述低温退火点为能使反应气氛与晶片发生反应的温度，具体为450℃-580℃； 4高温退火： 待反应完成后，将反应气氛排出，通入保护气氛，升温至反应生成物沸点以上，具体为700℃-1100℃，进行保温； 5退火完成后，将尾气抽出进行尾气处理，得到消除表面损伤层的化合物半导体晶体。
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