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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210343293.8，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置是由吴海;任泽生;王利芹;王露寒;程壹涛;刘成群;吴爱华;赵英伟;王峻澎设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域，公开了一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法、装置和刻蚀装置，用于降低刻蚀工艺掉片率的装置包括通气控制器和陶瓷遮挡盘；通气控制器一端用于连接进气管道，另一端用于连接刻蚀设备的通气管路，陶瓷遮挡盘设置于刻蚀设备的下电极基座上；通气控制器用于在刻蚀完成后，向刻蚀设备内通入气体，使晶圆片浮起和下落，以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应；陶瓷遮挡盘用于限制晶圆片浮起过程中晶圆片的移动范围。本发明提供的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，通过陶瓷遮挡盘和通气控制器的共同使用，消除了刻蚀工艺完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应，解决了现有刻蚀工艺中晶圆片掉片率高的问题。

本发明授权一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，包括通气控制器和陶瓷遮挡盘； 所述通气控制器一端用于连接进气管道，另一端用于连接刻蚀设备的通气管路，所述陶瓷遮挡盘设置于所述刻蚀设备的下电极基座上； 所述通气控制器用于在刻蚀完成后，向所述刻蚀设备内通入气体，使晶圆片浮起和下落，以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应； 所述通气控制器还包括质量流量控制器；所述质量流量控制器用于调节所述通气控制器进气管道开启时的气体流量； 所述通气控制器还包括针阀，所述针阀设置于所述通气控制器进气管道上，用于控制所述通气控制器进气管道的进气量大小； 所述通气控制器包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、按钮开关、电磁截止阀和真空表； 所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器和所述按钮开关用于形成所述通气控制器的控制回路； 所述真空表串联所述第一继电器的线圈； 所述电磁截止阀串联所述第一继电器的常闭触点，所述第二继电器的常开触点和所述第三继电器的延时断开常闭触点； 所述第二继电器的常开触点并联所述按钮开关后串联所述第二继电器的线圈、所述第三继电器的延时断开常闭触点和所述第一继电器的常闭触点； 所述第三继电器的线圈串联所述第二继电器的常开触点； 所述陶瓷遮挡盘用于限制所述晶圆片浮起过程中所述晶圆片的移动范围。

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