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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114970148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210577303.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统是由曾雉;刘俊;高扬;陆广宝;张传国;李永钢设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统，属于半导体辐照技术领域，方法包括获取半导体及其辐照缺陷的性质参数；基于缺陷性质参数，确定退火模拟中缺陷类型和缺陷间反应路径；以半导体性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；以初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以缺陷性质参数和缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度；以存活缺陷的性质参数及其浓度作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。本发明可定量地模拟辐照半导体的DLTS，并给出不同DLTS峰对应的微观缺陷类型及其具体占比。

本发明授权辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法，其特征在于，所述方法包括： 获取半导体的性质参数及其辐照缺陷性质参数； 基于所述辐照缺陷性质参数，确定退火模拟中的缺陷类型和缺陷间的反应路径； 以所述半导体的性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布； 以所述初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以所述辐照缺陷性质参数和所述缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度信息； 以所述存活缺陷的性质参数及其浓度信息作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，得到不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度，包括：a根据所述存活缺陷的类型及其浓度信息，构建待模拟深能级缺陷能级列表，并确定模拟DLTS的温度区间，其中，所述待模拟深能级缺陷能级列表中的缺陷为退火后存活的缺陷且带隙中贡献了缺陷能级； b计算所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度和半导体导带底或价带顶有效态密度NCVT；其中，所述温度区间内不同温度下的载流子热运动速度的计算公式为： 所述半导体导带底或价带顶有效态密度NCVT的计算公式为： 其中，为电子或空穴的有效质量；h为普朗克常数； c从所述待模拟深能级缺陷能级列表中读入一个缺陷能级，并输入该缺陷能级不同温度下的载流子捕获截面和载流子发射的激活能； d以所述浓度信息作为被载流子占据的深能级缺陷的初始浓度，并设定未被载流子占据的深能级缺陷初始浓度，使用开源的微分方程求解器lsoda，从低温到高温依次求解所述温度区间内不同温度下读入的缺陷能级所对应的所述基于SRH理论的缺陷速率方程，获得不同温度下不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度；其中，所述基于SRH理论的缺陷速率方程的数学形式为： 其中，t为时间；为被电子或空穴占据而带上电荷j-1或j+1的深能级缺陷X；为T温度下，t时刻时，被电子或空穴占据的深能级缺陷的浓度；为T温度下，电子或空穴的热运动速度；为级联内带电缺陷Xj在温度为T时，捕获电子或空穴的截面；neh为电子或空穴的浓度；NXjt,T为T温度下，t时刻时，被电子或空穴占据的深能级缺陷Xj的浓度；NCVT为T温度下，导带底或价带顶有效态密度；为T温度下，带电深能级缺陷发射电子或空穴到导带底价带顶的激活能；kB为玻尔兹曼常数； 循环c和d，直至所述待模拟深能级缺陷能级列表里所有缺陷能级对应的基于SRH理论的缺陷速率方程全部求解完毕； 将不同时刻被载流子占据的深能级缺陷浓度代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。

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