北京大学王源获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于电容耦合的SRAM存算一体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115048075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457425.X，技术领域涉及：G06F7/52；该发明授权基于电容耦合的SRAM存算一体芯片是由王源;肖康林;崔小欣设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电容耦合的SRAM存算一体芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于电容耦合的SRAM存算一体芯片，包括：输入模块、按位乘法模块、电容衰减模块以及输出模块，通过输入模块接收输入数据；通过按位乘法模块实现输入数据与存储数据的乘法运算，得到乘法运算结果；并采用电容衰减模块，以层次化电容衰减器结构乘法运算结果的按层累加，不仅结构更加简单，而且计算时间更短，可以快速得到数字累加结果，提高乘法累加运算的能量效率以及计算吞吐。
本发明授权基于电容耦合的SRAM存算一体芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于电容耦合的SRAM存算一体芯片，其特征在于，包括：输入模块、按位乘法模块、电容衰减模块以及输出模块，所述输入模块、所述按位乘法模块、所述电容衰减模块以及所述输出模块依次连接； 所述输入模块用于接收输入数据； 所述按位乘法模块包括多个位乘法单元，每个所述位乘法单元均用于基于电容耦合原理，将所述输入数据与按位存储的存储数据的一位数据进行乘法运算，得到所述存储数据的一位数据对应的乘法运算结果； 所述电容衰减模块包括两层电容衰减器阵列，第一层电容衰减器阵列中的每个第一类电容衰减器分别连接于相邻两个位乘法单元之间，第二层电容衰减器阵列中的每个第二类电容衰减器分别连接于相邻两个第一类电容衰减器之间；所述电容衰减模块用于将所述存储数据的各位数据对应的乘法运算结果进行按层累加，得到多比特数据模拟累加结果； 所述输出模块用于确定并输出所述多比特数据模拟累加结果对应的数字累加结果。
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