厦门未来显示技术研究院有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种微型发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210712765.2，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种微型发光二极管及其制造方法是由林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;艾国齐;谈江乔;江方设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种微型发光二极管及其制造方法，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底第一表面、第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面的面积，第一发光结构利用倾斜侧壁出光，第一电极位于第一反射层远离第一发光结构的一侧表面，第二电极贯穿第一反射层和至少部分第一发光结构，第三电极贯穿第三发光结构至第三反射层，第四电极位于第三发光结构远离第三反射层的一侧表面。第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的发光方向朝向同一侧，避免处于同一平面的发光结构的侧面混色影响，能够提高显示效果。
本发明授权一种微型发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括： 依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构； 所述透明衬底为圆台结构或棱台结构，所述透明衬底具有和所述第一发光结构接触的第一表面、和所述第二发光结构接触的第二表面以及倾斜侧壁，所述第一表面的面积大于所述第二表面的面积，所述第一发光结构利用所述倾斜侧壁出光，所述第三反射层对所述第二发光结构的反射率小于第一阈值，所述第三反射层对所述第三发光结构的反射率大于第二阈值，所述第一阈值小于所述第二阈值； 第一电极，位于所述第一反射层远离所述第一发光结构的一侧表面； 第二电极，贯穿所述第一反射层和至少部分所述第一发光结构； 第三电极，贯穿所述第三发光结构至所述第三反射层； 第四电极，位于所述第三发光结构远离所述第三反射层的一侧表面。
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