杭州电子科技大学王颖获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210724652.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法是由王颖;陈嘉豪;曹菲;郭浩民;张立龙设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法，包括：N+衬底层；N型不同浓度多缓冲层，位于N+衬底层上；P型区，包括：P+区和P‑缓冲层，P‑缓冲层位于P+区下方；N型场截止层，位于P‑缓冲层下方；N‑漂移区，包括位于N型场截止层之上的第二N‑漂移区和位于N型多缓冲层之上的第一N‑漂移区；沟槽，位于P+区上方，沟槽内部填充金属。采用本发明的技术方案，当重离子入射时，可以大大降低肖特基接触表面和N‑N+同质结处的电场峰值、载流子碰撞电离产生率和瞬态电流，从而降低器件表面和内部的晶格温度，使器件的单粒子烧毁安全工作区得到显著提高。
本发明授权具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件，其特征在于，在半导体功率器件的阳极处形成两个沟槽，所述沟槽底部通过多次离子注入形成P+型区域和P-型缓冲层；在P-缓冲层和第一N型漂移区之间设置N型场截止层；在N型场截止层之上外延形成第二N型漂移区；在第一N型漂移区和N+衬底之间设置N型不同浓度多缓冲层。
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