安徽银通物联有限公司王雄获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽银通物联有限公司申请的专利近阈值7管SRAM存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210765445.3，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权近阈值7管SRAM存储单元是由王雄;陈世久;陈桃坤;史南东设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本近阈值7管SRAM存储单元在说明书摘要公布了：本发明公开了近阈值7管SRAM存储单元，近阈值7管SRAM存储单元，包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6和第七晶体管M7；所述M1管的源极接GND，漏极接M4的漏极，栅极接M4的栅极；所述M2管的源极接GND，漏极接M5的漏极，栅极接M5的栅极。本发明中，首先，通过采用读写分离的技术手段，解决了传统6管单元电路在近阈值电压的工作条件下所产生的延时问题和读写混乱问题，具有更高稳定性和更高性能的技术效果，符合目前市场的需要，其次，有效的解决了公开的8管单元SRAM无法在近阈值电压下进行写操作的缺点，且本发明少了一个晶体管，在同样的电压下其静态功耗比公开的8管单元SRAM功耗更低。
本发明授权近阈值7管SRAM存储单元在权利要求书中公布了：1.近阈值7管SRAM存储单元，其特征在于，包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6和第七晶体管M7； 所述M1管的源极接GND，漏极接M4的漏极，栅极接M4的栅极； 所述M2管的源极接GND，漏极接M5的漏极，栅极接M5的栅极； 所述M3管的源极接M1的漏极，漏极接WBL，栅极接WL； 所述M4管的源极接VDD，漏极接M1的漏极，栅极接M1的栅极； 所述M5管的源极接VDD，漏极接M2的漏极，栅极接M2的栅极； 所述M6管的源极接M7的漏极，漏极接RBL，栅极接M5的栅极； 所述M7管的源极接GND，漏极接M6的源极，栅极接RWL。
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