西安电子科技大学芜湖研究院陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210784215.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法是由陈兴;陈瑶;王东;吴勇;黄永;何滇;李彦佐;林长志;邱慧嫣;谢雨峰;沈琪设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID‑GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化层、设置于顶部UID‑GaN缓冲层两端的源极和漏极以及设置于AlGaN势垒层上的栅极，所述源极还与设置于顶部UID‑GaN缓冲层内的三层P型埋层相连，本发明在AlGaNGaN异质结外延过程中采用碳掺杂的周期性GaN缓冲层作为底层GaN缓冲层，可有效抑制垂直方向上经由源极或漏极流向衬底的泄漏电流，减小底层GaN缓冲层位错密度，提高结晶质量，同样能减小流向底层GaN缓冲层的泄漏电流，具有与源极相连的三层P型埋层的HEMT器件结构，实现了击穿电压和导通电阻的折衷。
本发明授权一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有P型埋层的HEMT器件结构，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底101、底部GaN缓冲层102、顶部UID-GaN缓冲层103、GaN沟道层107、AlGaN势垒层108、Si3N4钝化层112、设置于顶部UID-GaN缓冲层103两端的源极109和漏极110以及设置于AlGaN势垒层上的栅极111，所述源极109还与设置于顶部UID-GaN缓冲层103内的三层P型埋层相连； 所述底部GaN缓冲层102由掺碳GaN缓冲层和UID-GaN缓冲层周期性生长而成，厚度为100nm-10um，掺碳的浓度在1018cm-3-1020cm-3。
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