香港理工大学深圳研究院柴扬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉香港理工大学深圳研究院申请的专利一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210515489.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法是由柴扬;陈杰威设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法，晶体管包括：外尔半导体层；源极，设置于所述外尔半导体层；漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置；栅极，与所述外尔半导体层连接；其中，在所述栅极的静电调控下所述外尔半导体层拓扑相变，以使所述基于外尔半导体的拓扑相变晶体管呈开态或关态。本发明利用外尔半导体的贝利曲率和对应的陈数可调特性，实现了陈数为0的传统半导体和陈数为1的拓扑半金属间的拓扑相变。实现具低功耗和高性能的场效应晶体管。通过静电调控，实现了108开关比和39毫西门子每微米的开态电导。
本发明授权一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管，其特征在于，包括： 外尔半导体层，所述外尔半导体作为沟道层，所述外尔半导体层为碲烯片； 源极，设置于所述外尔半导体层； 漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置； 栅极，与所述外尔半导体层连接； 第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述源极和所述漏极之间； 其中，所述第一电极和所述第二电极均具有与所述外尔半导体层的能带匹配的功函数；所述源极和所述漏极均具有与所述外尔半导体层的能带匹配的功函数；所述栅极通过栅介质与所述外尔半导体层连接；所述栅介质与所述外尔半导体层上所述源极和所述漏极之间区域连接；在所述栅极的静电调控下所述外尔半导体层拓扑相变，所述沟道层的表面形成超薄的双电层，以使所述基于外尔半导体的拓扑相变晶体管呈开态或关态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人香港理工大学深圳研究院，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新技术产业园南区粤兴一道18号香港理工大学产学研大楼205室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励