长鑫存储技术有限公司史江北获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种测试设备、失效分析方法和测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236483B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210692461.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种测试设备、失效分析方法和测试系统是由史江北设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测试设备、失效分析方法和测试系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统，该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座，且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中，芯片载台，用于承载被测芯片；比较模块，与可调电阻模块连接，用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节，以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰，改善EBAC的成像效果，使得在对被测芯片进行失效分析时，可以快速且准确地定位失效点。
本发明授权一种测试设备、失效分析方法和测试系统在权利要求书中公布了：1.一种测试设备，其特征在于，所述测试设备包括芯片载台和用于支撑所述芯片载台的支撑底座，且所述支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中： 所述芯片载台，用于承载被测芯片； 所述比较模块，与所述可调电阻模块连接，用于对所述被测芯片中待测试层的接地电压与所述芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和所述可调电阻模块对所述待测试层的接地电阻进行调节，以降低所述待测试层的表面荷电效应。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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