五邑大学宋伟东获国家专利权
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龙图腾网获悉五邑大学申请的专利一种紫外光电探测器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210860226.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种紫外光电探测器及其制备方法与应用是由宋伟东;郭越;马博新;梁田泓;张驰;何鑫;罗幸君;孙一鸣设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外光电探测器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法与应用。所述紫外光电探测器包括依次设置的：衬底；亲水半导体层，所述亲水半导体层设置于所述衬底的表面；欧姆接触电极层，所述欧姆接触电极层设置于所述亲水半导体层的表面；绝缘介质层，所述绝缘介质层设置于所述亲水半导体层的表面，所述绝缘介质层与所述欧姆接触电极层相互分离；金属接触电极层，所述金属接触电极层设置于所述绝缘介质层的表面；所述绝缘介质层的厚度为50‑200nm。本发明通过在金属接触电极层与半导体之间插入薄的介质层，使器件的光电性能大幅度提升。
本发明授权一种紫外光电探测器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种紫外光电探测器，其特征在于：包括依次设置的： 衬底； 亲水半导体层，所述亲水半导体层设置于所述衬底的表面； 欧姆接触电极层，所述欧姆接触电极层设置于所述亲水半导体层的表面； HfO2绝缘介质层，所述HfO2绝缘介质层设置于所述亲水半导体层的表面，所述HfO2绝缘介质层与所述欧姆接触电极层相互分离； 金属接触电极层，所述金属接触电极层设置于所述HfO2绝缘介质层的表面； 所述绝缘介质层的厚度为50-200nm； 所述绝缘介质层的导带大于所述亲水半导体层； 所述亲水半导体层为GaN层，厚度为4-6μm，且经过臭氧亲水处理。
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