江西兆驰半导体有限公司侯合林获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片制备方法、外延片及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210872687.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延片制备方法、外延片及LED芯片是由侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片制备方法、外延片及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片制备方法、外延片以及LED芯片，该制备方法包括提供一衬底主体，在所述衬底主体上沉积可腐蚀牺牲层，并在所述可腐蚀牺牲层远离所述衬底主体一侧键合薄膜顶层以形成复合衬底；在所述薄膜顶层上外延生长氮化物功能层以形成初始外延片；将所述初始外延片置于配置好的腐蚀溶液中，以对所述复合衬底中的所述可腐蚀牺牲层进行腐蚀，进而得到外延片。本发明解决了现有技术中在外延片生长完成后对衬底进行减薄工艺时影响产品良率的问题。
本发明授权一种外延片制备方法、外延片及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底主体，在所述衬底主体上沉积可腐蚀牺牲层，并在所述可腐蚀牺牲层远离所述衬底主体一侧键合薄膜顶层以形成复合衬底； 在所述薄膜顶层上外延生长氮化物功能层以形成初始外延片； 将所述初始外延片置于配置好的腐蚀溶液中，以对所述复合衬底中的所述可腐蚀牺牲层进行腐蚀，进而得到外延片； 所述衬底主体的厚度大于所述薄膜顶层的厚度，所述衬底主体的厚度为400-600um，所述薄膜顶层的厚度为50-200um。
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