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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210927517.X，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权发光二极管及其制造方法是由邱英强;梁兴华;张乾;洪灿皇设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反；透明导电层，位于所述外延层的部分表面，所述透明导电层与接触的所述外延层的掺杂类型相反；反射层，位于所述透明导电层上；电流扩展层，覆盖所述透明导电层和所述反射层且延伸至所述外延层上，所述电流扩展层与接触的所述外延层的掺杂类型相同；第一电极，位于所述反射层上方的电流扩展层上。本发明的技术方案使得在增加电流横向扩展长度的同时，还能提高光提取效率和可靠性。

本发明授权发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反； 透明导电层，位于所述外延层的部分表面，所述透明导电层与接触的所述外延层的掺杂类型相反，使得所述透明导电层与接触的所述外延层形成PN结阻挡层； 反射层，位于所述透明导电层上； 电流扩展层，覆盖所述透明导电层和所述反射层且延伸至所述外延层上，所述电流扩展层与接触的所述外延层的掺杂类型相同； 第一电极，位于所述反射层上方的电流扩展层上； 其中，所述透明导电层与接触的所述外延层的接触电阻大于所述电流扩展层与接触的所述外延层的接触电阻；与所述电流扩展层接触的所述外延层的掺杂类型为P型时，所述电流扩展层的功函数大于与所述电流扩展层接触的所述外延层的功函数；与所述电流扩展层接触的所述外延层的掺杂类型为N型时，所述电流扩展层的功函数小于与所述电流扩展层接触的所述外延层的功函数；所述电流扩展层的方块电阻小于与所述电流扩展层接触的所述外延层的方块电阻。

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