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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115327240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211005954.2，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法是由翁坤设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体和集成电路领域，提供一种检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法。该检测半导体器件寄生电容的方法包括：基于预设电路模型构建CBCM电容测量电路；构建多个结构相同的半导体器件，其中，多个半导体器件的器件参数相同，且器件参数至少包括寄生电容；基于半导体器件构建复合器件；利用CBCM电容测量电路对半导体器件、复合器件进行检测而确定出构成半导体器件的待测部件的寄生电容。本公开检测方法通过构建复合器件，使用半导体器件的寄生电容减去复合器件的寄生电容的方法，具有测试结果准确性高的优点。并且所构建的复合器件能够进行参数调节，即可以检测出不同参数下的寄生电容，局限性小。

本发明授权检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种检测可控硅中寄生电容的方法，其特征在于，包括： 构建CBCM电容测量电路； 构建第一可控硅器件； 构建复合器件，其中，所述复合器件包括第二可控硅器件和半导体器件，所述第二可控硅器件的参数与所述第一可控硅器件的参数相同，且所述半导体器件的结构与所述第一可控硅器件中任一三极管产生寄生电容的结构相同； 利用所述CBCM电容测量电路向与其连接的所述第一可控硅器件和所述复合器件提供激励信号，以检测出所述复合器件的寄生电容； 基于所述复合器件的寄生电容与所述第一可控硅器件的寄生电容的电容差确定出所述第一可控硅器件中任一三极管的寄生电容； 所述第一可控硅器件包括第一N型阱、第一P型阱以及设置于所述第一N型阱中的第一P掺杂区和设置于所述第一P型阱中的第一N掺杂区； 所述复合器件包括第二N型阱和第二P型阱； 所述第二N型阱包括第一子N型阱、第二子N型阱以及设置于所述第一子N型阱中的第一子P掺杂区和设置于所述第二子N型阱中的第二N掺杂区，且所述第一子N型阱的参数和所述第二子N型阱的参数均与所述第一N型阱的参数相同，所述第一子P掺杂区的参数和第二子P掺杂区的参数均与所述第一P掺杂区的参数相同； 所述第二P型阱包括第一子P型阱、第二子P型阱以及设置于所述第一子P型阱中的第一子N掺杂区和或设置于所述第二子P型阱中的第二子N掺杂区，且所述第一子P型阱的参数、所述第二子P型阱的参数均与所述第一P型阱的参数相同，所述第一子N掺杂区的参数、所述第二子N掺杂区的参数均与所述第一N掺杂区的参数相同； 其中，所述第一子N型阱、所述第一子P型阱以及所述第一子P掺杂区和所述第一子N掺杂区构成所述第二可控硅器件，且所述第二子N型阱、所述第二子P型阱以及所述第二子P掺杂区构成所述半导体器件； 或者，所述第一子N型阱、所述第一子P型阱以及所述第一子P掺杂区和所述第一子N掺杂区构成所述第二可控硅器件，且所述第二子N型阱、所述第二子P型阱和所述第二子N掺杂区构成所述半导体器件。

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