长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶体管软击穿检测方法、装置、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115372781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211058196.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权晶体管软击穿检测方法、装置、介质及设备是由杨杰设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管软击穿检测方法、装置、介质及设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体和集成电路领域，一种晶体管软击穿检测方法、装置、介质及设备。该晶体管软击穿检测方法，包括：向所述待测晶体管的栅氧化层持续施加栅极控制信号，所述栅极控制信号包括待测直流信号和交流扰动信号，所述交流扰动信号具有目标频率和目标幅值；检测所述栅氧化层的漏电流；基于所述漏电流检测所述待测晶体管的栅氧化层是否发生软击穿。本公开方法，所叠加的交流扰动信号不影响待测直流信号的应力特性，即所检测到的漏电流特性表征了待测直流信号对于待测晶体管的TDDB特性，并且通过对等效漏电流进行放大从而可以直观地判断当前所施加的直流信号是否会引起晶体管的软击穿，并且本公开方法可以实现原位表征。
本发明授权晶体管软击穿检测方法、装置、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管软击穿检测方法，其特征在于，包括： 向待测晶体管的栅氧化层持续施加栅极控制信号，所述栅极控制信号包括待测直流信号和交流扰动信号，所述交流扰动信号具有目标频率和目标幅值； 检测所述栅氧化层的漏电流； 基于所述漏电流检测所述待测晶体管的栅氧化层是否发生软击穿。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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