圣邦微电子(北京)股份有限公司王巍获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110545166.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片及方法是由王巍设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片及方法在说明书摘要公布了：一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：所述芯片包括噪声区1、低噪区2、噪声隔离带3、真空隔离带4以及高压阱5；其中，所述噪声区1和低噪区2，分别用于容纳所述芯片内的噪声电路101和低噪声电路201~206，并由噪声隔离带3、真空隔离带4和高压阱5实现物理隔离。本发明中的方法能够在减小芯片面积的同时，进一步地提高芯片对干扰信号的隔离能力。
本发明授权一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片及方法在权利要求书中公布了：1.一种利用真空隔离带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于： 所述芯片包括噪声区、低噪区、噪声隔离带、真空隔离带以及高压阱；其中， 所述噪声区和低噪区，分别用于容纳所述芯片内的噪声电路和低噪声电路，并且噪声区和低噪区之间由噪声隔离带、真空隔离带和高压阱实现物理隔离； 所述芯片还包括芯片衬底，所述芯片衬底上设置有衬底外延层，所述噪声电路、所述低噪声电路、所述噪声隔离带和所述高压阱均设置于所述衬底外延层中；并且，所述噪声隔离带与所述高压阱构成PN结，以实现所述噪声区和所述低噪区之间噪声的隔离； 所述真空隔离带位于所述衬底外延层中；噪声区和低噪区之间的高压阱被真空隔离带划分为两部分，所述真空隔离带与所述噪声隔离带之间由所述高压阱隔开设置；并且，所述真空隔离带与所述低噪声电路之间由所述高压阱隔开； 将芯片的衬底外延层与噪声隔离带分别设置为具有不同的掺杂类型，将高压阱与芯片的衬底外延层设置为具有相同的掺杂类型，真空隔离带与衬底外延层的成分和掺杂浓度相同，且真空隔离带与衬底外延层的掺杂浓度均小于高压阱的掺杂浓度。
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