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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低插损高功率射频开关快速切换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115378409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210821943.5，技术领域涉及：H03K17/041；该发明授权一种低插损高功率射频开关快速切换电路是由易凯;于松立;赵晨曦;康凯;刘辉华;余益明;吴韵秋设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低插损高功率射频开关快速切换电路在说明书摘要公布了：本发明属于射频开关技术领域，具体提供一种低插损高功率射频开关快速切换电路，用以解决现有SOI开关设计中低插损、高功率与快速切换的折中问题。本发明的快速切换电路连接于模拟控制模块与射频开关模块之间的每一路控制信号路径上；通过反相器I1与反相器I2串联构成的延迟支路将模拟控制模块输出的控制信号延迟传输至射频开关模块，同时，控制信号通过反相器I3后分别控制PMOS管M1与NMOS管M2，从而实现正电源轨VDD经过M1对滤波电容CL的充电或负电源轨‑VDD经过M2对滤波电容CL的放电，进而使得控制信号更快到达射频开关切换的阈值电压、即提升开关切换速度；综上，本发明在保证低插损、高功率的射频性能的前提下，显著提升了射频开关的切换速度。

本发明授权一种低插损高功率射频开关快速切换电路在权利要求书中公布了：1.一种低插损高功率射频开关快速切换电路，包括：反相器I1~I3、PMOS管M1、NMOS管M2、限流电阻R1与R2，其特征在于，所述反相器I1与反相器I2串联后作为延迟支路，反相器I1的输入端连接模拟控制模块的控制信号输出端，反相器I2的的输出端连接射频开关模块的控制端、且两端之间连接滤波电容CL，所述反相器I3的输入端连接模拟控制模块的控制信号输出端、输出端连接PMOS管M1与NMOS管M2的栅极，所述PMOS管M1的源极连接模拟控制模块的正电源轨VDD，所述NMOS管M2的源极连接模拟控制模块的负电源轨-VDD，PMOS管M1的漏极与NMOS管M2的漏极相连、且连接反相器I2的的输出端；所述限流电阻R1连接于模拟控制模块的正电源轨VDD与PMOS管M1的源极之间，所述限流电阻R2连接于模拟控制模块的负电源轨-VDD与NMOS管M2的源极之间。

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