常州纵慧芯光半导体科技有限公司李含轩获国家专利权
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龙图腾网获悉常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211215133.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法是由李含轩;牛守柱;李辉杰;李善文设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器包括：衬底；外延基本结构，位于衬底的一侧；外延基本结构包括多个有源区，多个有源区沿外延生长方向层叠设置；相邻两层的有源区之间由隧道结连接；介质层，位于外延基本结构远离衬底的一侧；驻波调节层，穿插在外延基本结构中，并靠近介质层设置；驻波调节层用于调节激光的驻波分布，以使驻波光场中的波峰偏离外延基本结构的出光腔面；其中出光腔面为外延基本结构远离衬底的表面。减少了界面态对光子的吸收，从而实现更高水平的COD阈值，保证器件具有更高的功率密度输出。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 衬底； 外延基本结构，位于所述衬底的一侧；所述外延基本结构包括多个有源区，多个所述有源区沿外延生长方向层叠设置；相邻两层的有源区之间由隧道结连接； 介质层，位于所述外延基本结构远离所述衬底的一侧； 驻波调节层，穿插在所述外延基本结构中，并靠近所述介质层设置；所述驻波调节层用于调节所述垂直腔面发射激光器中的驻波分布，以使驻波光场中的波峰偏离所述外延基本结构的出光腔面；其中所述出光腔面为所述外延基本结构远离所述衬底的表面。
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