美光科技公司X-A·特兰获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利多层级单元的可调编程脉冲获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210621016.9，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权多层级单元的可调编程脉冲是由X-A·特兰;N·N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里;A·马宗达设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层级单元的可调编程脉冲在说明书摘要公布了：本申请涉及多层级单元的可调编程脉冲。存储器装置可基于相关联存储器单元的可靠性度量而修改中间逻辑状态的编程脉冲的特征。经修改特征可增大读取窗口并逆转经移位阈值电压分布的移动例如，通过将阈值电压分布移动得距一或多个其它电压分布更远。所述可靠性度量可通过执行测试写入确定，可以是所述存储器单元使用的循环数量、位错误率和或第一状态的读取数量。与经修改第二脉冲相关联的信息可存储在熔丝或存储器单元中，或者可由所述存储器装置的存储器装置控制器或电路系统实施。
本发明授权多层级单元的可调编程脉冲在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 在包括多个存储器单元的存储器装置处接收存取命令，所述多个存储器单元中的每一存储器单元配置成存储一组状态中的一个状态，所述一组状态包括第一状态、第二状态和第三状态，其中将存储器单元写入到所述第三状态包括施加第一极性的第一脉冲和第二极性的第二脉冲； 至少部分地基于与所述多个存储器单元中的一组存储器单元相关联的所述第三状态的可靠性度量，修改所述第二脉冲的特征；以及 至少部分地基于所述存取命令，对所述多个存储器单元中的第一存储器单元执行写入操作，其中执行所述写入操作包括施加所述第一脉冲和具有所述经修改特征的所述第二脉冲。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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