株式会社理光浅野友晴获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社理光申请的专利具有p型半导电性的金属氧化物粒子，使用其的电子器件，制造电子器件的方法，以及成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180033715.5，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权具有p型半导电性的金属氧化物粒子，使用其的电子器件，制造电子器件的方法，以及成像装置是由浅野友晴;纸英利;井上龙太设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有p型半导电性的金属氧化物粒子，使用其的电子器件，制造电子器件的方法，以及成像装置在说明书摘要公布了：提供具有p型半导电性的金属氧化物粒子。所述金属氧化物粒子具有基于体积的粒径分布，该粒径分布具有第一局部最大值和第二局部最大值。所述第一局部最大值在0.1μm或更大且小于5μm的范围内，所述第二局部最大值在5μm或更大且小于50μm的范围内。所述第二局部最大值与所述第一局部最大值的比率为0.5或更大且小于2.0，所述金属氧化物粒子的99％体积或更大具有粒径在0.1‑50μm的范围内。
本发明授权具有p型半导电性的金属氧化物粒子，使用其的电子器件，制造电子器件的方法，以及成像装置在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括: 基底； 包含电荷传输材料的电荷传输层，或包含敏化染料的染料敏化电极层，所述电荷传输层或所述染料敏化电极层覆盖所述基底；以及 金属氧化物膜，所述金属氧化物膜包含具有p型半导电性的金属氧化物粒子，所述金属氧化物膜覆盖所述电荷传输层或所述染料敏化电极层；和 在所述电荷传输层或所述染料敏化电极层与所述金属氧化物膜之间的含硅层， 其中，所述金属氧化物粒子具有基于体积的粒径分布，该粒径分布具有第一局部最大值和第二局部最大值， 所述第一局部最大值在0.1μm或更大且小于5μm的范围内，所述第二局部最大值在5μm或更大且小于50μm的范围内， 所述第二局部最大值与所述第一局部最大值的比率为0.5或更大且小于2.0，以及 所述金属氧化物粒子的99％体积或更大具有在0.1-50μm范围内的粒径， 所述金属氧化物粒子包含铜铁矿型氧化物，并且 所述铜铁矿型氧化物包含铜铝氧化物。
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