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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种高压LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211201174.5，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种高压LED芯片及其制作方法是由赵斌;曲晓东;罗桂兰;杨克伟;林志伟;陈凯轩设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构，且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一、第二发光结构分别形成通孔型的垂直LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述两发光结构的串联。如此，使第一发光结构和第二发光结构无需通过台阶即可在平坦的分割道上方实现桥接串联，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，由于桥接区域分布于两发光结构的分割道，不占据发光面积，可提高芯片的发光效率。

本发明授权一种高压LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括： 导电衬底； 通过键合层键合形成于所述导电衬底背面的发光结构，所述发光结构包括通过分割道相互独立的第一发光结构和第二发光结构；其中，所述第一发光结构、第二发光结构分别包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述导电衬底，并由所述发光结构指向所述导电衬底；且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有发光台面及裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔； 欧姆反射层，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面；且，所述第一发光结构中，在所述欧姆反射层靠近所述导电衬底的一侧表面具有电极引出区； 欧姆接触电极，其设置于所述通孔底部； 第二绝缘层，其覆盖所述第一发光结构、第二发光结构以及分割道，并裸露所述欧姆接触电极以及欧姆反射层的至少部分表面； 第二电极层，其层叠于所述欧姆反射层的裸露面； 电极连通层，通过层叠于所述第二绝缘层表面的方式分别从所述分割道的上方、所述第一发光结构的欧姆接触电极表面延伸至所述第一发光结构的发光台面，并在所述第一发光结构的发光台面相互连通；所述电极连通层与所述第一发光结构所对应的第二电极层间隔设置，且，所述电极连通层与所述第二发光结构所对应的第二电极层在所述分割道上方实现连接； 隔离层，其覆盖所述第二电极层及所述电极连通层，并裸露所述第二发光结构的欧姆接触电极表面；且，所述键合层通过嵌入所述第二发光结构的通孔方式与对应所述欧姆接触电极形成接触； 第一电极，其设置于所述电极引出区，通过所述欧姆反射层与对应的第二型半导体层形成接触。

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