买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211351062.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的制造方法是由曹新满;吴耆贤;黄炜设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，在存储区的基底上形成多个第一掩膜图案，在外围区的基底上形成多个第二掩膜图案，并在第一掩膜图案的侧壁和第二掩膜图案的侧壁形成侧墙，在第一掩膜图案的顶面以及第二掩膜图案的顶面形成填充层，填充层还填满相邻侧墙间的间隙，存储区中填充层的厚度等于外围区中填充层的厚度，还刻蚀填充层，以露出侧墙的顶面、第一掩膜图案的顶面以及第二掩膜图案的顶面，并在去除位于第一掩膜图案顶面及侧面的侧墙、位于第二掩膜图案顶面及侧面的侧墙之后，以填充层、第一掩膜图案以及第二掩膜图案为掩膜，刻蚀去除部分基底。本公开实施例至少能够降低刻蚀部分基底过程中出现的刻蚀不足或者过刻蚀的现象。

本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括存储区以及外围区； 形成初始掩膜层于所述基底上； 对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，以使在所述存储区的剩余所述初始掩膜层构成多个分立的第一掩膜图案，在所述外围区的剩余所述初始掩膜层构成多个分立的第二掩膜图案； 形成侧墙，所述侧墙至少覆盖所述第一掩膜图案的侧壁和所述第二掩膜图案的侧壁； 形成填充层，所述填充层覆盖所述第一掩膜图案的顶面以及所述第二掩膜图案的顶面，且还填满相邻的所述侧墙之间的间隙，所述存储区中的所述填充层的厚度等于所述外围区中的所述填充层的厚度； 对所述填充层进行刻蚀处理，以露出所述侧墙的顶面、所述第一掩膜图案的顶面以及所述第二掩膜图案的顶面； 去除部分所述侧墙，所述部分侧墙包括位于所述第一掩膜图案顶面及侧面的所述侧墙、位于所述第二掩膜图案顶面及侧面的所述侧墙； 以所述填充层、所述第一掩膜图案以及所述第二掩膜图案为掩膜，刻蚀去除部分所述基底。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。