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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110746053.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基底；在基底上形成位线，和在位线远离基底的表面形成半导体通道，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；形成第一介质层，第一介质层环绕半导体通道侧壁，且位于同一位线上相邻半导体通道侧壁的第一介质层之间具有第一间隙；形成第二介质层，第二介质层填充满第一间隙，且第二介质层的材料和第一介质层的材料不同；去除部分第一介质层至露出沟道区侧壁；形成绝缘层，至少覆盖沟道区侧壁表面，且绝缘层与第二介质层之间具有第二间隙；形成字线，字线填充满第二间隙。本发明实施例有利于简化形成字线的步骤，且形成尺寸小且精度高的字线。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成位线，以及在所述位线远离所述基底的表面形成半导体通道，在沿所述基底指向所述位线的方向上，所述半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区； 形成第一介质层，所述第一介质层环绕所述半导体通道侧壁，且位于同一所述位线上相邻所述半导体通道侧壁的所述第一介质层之间具有第一间隙； 形成第二介质层，所述第二介质层填充满所述第一间隙，且所述第二介质层的材料和所述第一介质层的材料不同； 去除部分所述第一介质层至露出所述沟道区侧壁，剩余所述第一介质层环绕所述第一掺杂区侧壁； 形成绝缘层，所述绝缘层至少覆盖所述沟道区侧壁表面，且所述绝缘层与所述第二介质层之间具有第二间隙； 形成字线，所述字线填充满所述第二间隙； 其中，所述第一掺杂区、所述沟道区和所述第二掺杂区掺杂有相同类型的掺杂离子，且所述掺杂离子在所述第一掺杂区中的掺杂浓度与在所述沟道区和所述第二掺杂区中的掺杂浓度一致，所述掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者。

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